制造商：Infineon Technologies
　　系列：CY7C1380D
　　存储器类型：SRAM
　　存储器格式：4Mbit (256K × 16)
　　电压供电：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装/外壳：44-TSOP
　　时钟频率：最高200MHz
　　访问时间：5ns（每时钟周期）
　　接口类型：同步、地址/数据复用
　　读写模式：突发模式（Burst-of-4）
　　控制信号：ADV#/LD#, CLK, CE#, OE#, WE#, UB#/LB#
　　数据总线宽度：16位（可配置为字节操作）
　　封装类型：TSSOP-44
　　引脚数：44
　　同步架构：所有操作与时钟上升沿同步
　　待机电流：典型值为5mA（CMOS待机模式）
　　运行电流：典型值为120mA（在200MHz全负荷下）

CY7C1380D-200AXC具备多项关键特性，使其成为高速同步SRAM应用中的理想选择。首先，其同步架构确保所有地址、数据和控制信号的操作都严格跟随系统时钟的上升沿进行，这不仅简化了系统时序设计，也提升了在高频环境下的稳定性与抗干扰能力。器件支持突发模式（Burst-of-4），在接收到初始地址后，能够以流水线方式连续输出四个数据字，极大地提高了数据吞吐率。这种突发机制特别适用于需要连续读取或写入大量数据的应用，如网络数据包缓存、图像处理缓冲区等。
　　其次，该SRAM支持地址与数据总线复用设计，通过减少引脚数量来优化PCB布局空间，同时保持高性能的数据传输能力。它提供了灵活的字节使能控制（UB#和LB#信号），允许用户独立地对高字节（DQ15-DQ8）和低字节（DQ7-DQ0）进行读写操作，增强了在混合数据宽度系统中的适应性。此外，器件集成了自动省电功能，当片选信号（CE#）有效但未执行任何操作时，内部电路会自动进入低功耗待机状态，显著降低空闲期间的功耗，有助于延长便携式设备或远程终端的使用寿命。
　　再者，CY7C1380D-200AXC采用先进的CMOS制造工艺，具有良好的噪声抑制能力和温度稳定性，可在工业级温度范围内可靠运行。其输出驱动能力经过优化，兼容LVTTL电平标准，便于与多种逻辑器件直接接口而无需额外电平转换电路。该器件还具备可预测的固定延迟访问特性，使得系统控制器可以精确规划内存访问时序，避免因等待状态导致性能下降。最后，该SRAM提供高可靠性和长生命周期支持，适用于长期部署的关键基础设施项目，例如电信基站、工业自动化设备和航空航天电子系统。

CY7C1380D-200AXC广泛应用于需要高速、低延迟内存访问的各种电子系统中。典型应用场景包括通信基础设施设备，如路由器、交换机和光传输模块，其中该SRAM常被用作数据包缓冲区或查找表存储，以满足高带宽数据转发的需求。在网络处理器与FPGA协同工作的架构中，该芯片可作为共享内存或协处理器缓存，实现高效的数据交换。在工业控制领域，该器件用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡中，提供实时任务调度所需的快速变量存储空间。
　　此外，在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，CY7C1380D-200AXC可用于暂存采样数据或中间计算结果，保障高速采集过程中的数据完整性。在视频监控和图像处理系统中，它可以作为帧缓冲器的一部分，支持实时图像叠加、缩放或编码预处理操作。由于其支持突发模式和低访问延迟，也适用于雷达信号处理、软件定义无线电（SDR）等高性能嵌入式系统。在军事和航空航天领域，尽管需额外筛选等级版本，但其基础型号仍为设计人员提供了可靠的本地存储方案，尤其适合空间受限但要求高稳定性的机载或车载电子设备。
　　另外，该器件还可用于高端消费类电子产品，如智能电视、机顶盒和游戏主机中的辅助缓存模块，尤其是在需要频繁访问固件或临时数据的场合。得益于其工业级温度范围和无铅环保封装，该SRAM也非常适合部署在户外或恶劣环境下的远程终端单元（RTU）、智能电表和交通控制系统中。总体而言，凡是需要3.3V同步SRAM、具备突发访问能力且追求高性价比和长期供货保障的设计，CY7C1380D-200AXC都是一个值得考虑的选择。

CY7C1380D-200BZC
　　CY7C1380D-200AXI
　　CY7C1380E-200AXC
　　IS61WV51216BLL-200BLI
　　MT58LC25616AD-200:B