MTB4N80ET4是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造,具有低导通电阻和高开关性能的特点,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):800V
连续漏极电流(ID):4.0A(在25°C)
栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V至4.0V
导通电阻(RDS(on)):2.5Ω(最大值)
耗散功率(PD):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
MTB4N80ET4的主要特性之一是其高耐压能力,漏源电压可高达800V,使其适用于高电压输入的电源设计。该器件的低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,MTB4N80ET4具有快速开关特性,适合高频开关应用,从而减小外围元件的体积,提高功率密度。
该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术,增强了电流处理能力,同时保持较低的栅极电荷(Qg),有助于降低驱动损耗。其封装形式为TO-220,便于安装和散热管理,适用于多种电源设计场景。
MTB4N80ET4还具备良好的热稳定性和过载能力,能够在较高温度环境下稳定工作。其栅极保护设计使其在实际应用中具备较高的抗干扰能力,从而提升整体系统的可靠性。
MTB4N80ET4广泛应用于各种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明电源、工业自动化设备中的马达驱动电路,以及负载开关和电池管理系统。由于其高电压耐受能力和良好的导通特性,该器件也适用于家电和消费类电子产品的电源模块中。
在开关电源设计中,MTB4N80ET4可作为主开关器件使用,负责将输入的高压直流电转换为高频交流信号,进而通过变压器进行电压变换。在DC-DC转换器中,该器件可作为同步整流器或主开关,提高转换效率并减少发热。此外,该MOSFET还可用于电池充电器、太阳能逆变器和UPS不间断电源系统等高可靠性电源应用中。
MTB4N80E, FQP4N80C, IRF840, STP4NK80Z