MTB4N80ET4 时间：2025/9/3 15:33:56 阅读：21

MTB4N80ET4是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：4.0A（在25°C）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大值）
　　耗散功率（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

MTB4N80ET4的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可高达800V，使其适用于高电压输入的电源设计。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，MTB4N80ET4具有快速开关特性，适合高频开关应用，从而减小外围元件的体积，提高功率密度。
　　该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，增强了电流处理能力，同时保持较低的栅极电荷（Qg），有助于降低驱动损耗。其封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于多种电源设计场景。
　　MTB4N80ET4还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较高温度环境下稳定工作。其栅极保护设计使其在实际应用中具备较高的抗干扰能力，从而提升整体系统的可靠性。

应用

MTB4N80ET4广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明电源、工业自动化设备中的马达驱动电路，以及负载开关和电池管理系统。由于其高电压耐受能力和良好的导通特性，该器件也适用于家电和消费类电子产品的电源模块中。
　　在开关电源设计中，MTB4N80ET4可作为主开关器件使用，负责将输入的高压直流电转换为高频交流信号，进而通过变压器进行电压变换。在DC-DC转换器中，该器件可作为同步整流器或主开关，提高转换效率并减少发热。此外，该MOSFET还可用于电池充电器、太阳能逆变器和UPS不间断电源系统等高可靠性电源应用中。