时间：2025/8/28 22:14:00
阅读：3
PQ1CG2032FZH 是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及各种高电流电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：32A（在Tc=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：120A
导通电阻（RDS(ON)）：5.2mΩ（典型值，VGS=4.5V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：PowerPAK? 1212-8
安装方式：表面贴装（SMD）
PQ1CG2032FZH MOSFET具备多项高性能特性，适用于高效率电源系统设计。其核心优势在于低导通电阻（RDS(ON)），在VGS=4.5V时典型值为5.2mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。该器件的漏源耐压为20V，栅源电压限值为±8V，支持广泛的应用电压范围，同时具备良好的抗过压能力。
该MOSFET采用先进的沟槽式工艺，优化了电流密度和热分布，确保在高电流负载下仍能保持稳定运行。其连续漏极电流额定值为32A（在Tc=25°C条件下），脉冲漏极电流可高达120A，适用于需要高瞬态电流响应的场合，如DC-DC转换器和同步整流器。
封装方面，PQ1CG2032FZH使用瑞萨专有的PowerPAK? 1212-8封装技术，该封装设计具备优异的散热性能和低热阻特性，有助于在高功率密度应用中保持良好的热稳定性。此外，其表面贴装（SMD）封装方式适用于自动化装配流程，提高了生产效率并降低了制造成本。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度适应性和长期可靠性，适合在工业级和汽车电子等严苛环境中使用。
PQ1CG2032FZH广泛应用于各类高性能电源管理系统，包括但不限于同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电源管理模块、服务器和通信设备电源、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率控制单元。其优异的导通特性和高电流能力使其成为高效率、高密度电源设计的理想选择。
Si7490DP, AO4406, SQJ442EP, FDS6680
