电容值：82 pF
　　容差：±0.25 pF
　　额定电压：500 V
　　温度系数：NPO（C0G）
　　封装尺寸：18 mil x 35 mil（0.46 mm x 0.89 mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（C0G/NPO）
　　绝缘电阻：>10,000 MΩ
　　损耗因数（DF）：<0.0005
　　Q值：>1000（典型值）

450AXW82M18X35 是一款专为高频应用设计的陶瓷电容器，其主要特性包括极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），确保在射频和微波频段下具有优异的性能。该电容器采用C0G（NPO）介质材料，提供了出色的温度稳定性和频率稳定性，几乎不受环境温度变化的影响。此外，该型号具有高Q值，使得在高频电路中能够保持极低的能量损耗。其小尺寸设计（18x35 mil）使其适用于空间受限的高密度PCB布局。
　　该电容器还具有优异的长期稳定性，适用于高可靠性要求的军事、航空航天和通信设备。在高频放大器、滤波器、振荡器以及射频匹配电路中，450AXW82M18X35 可以提供稳定的电容值和最小的相位噪声，确保电路性能的稳定性与一致性。
　　由于其低损耗因数（DF）和高Q值，该电容器在射频电路中可以有效减少信号损耗，提高系统效率。此外，该器件的额定电压高达500V，使其在高压高频电路中也能可靠工作。

450AXW82M18X35 主要用于射频和微波电子设备中的高频电路设计。它常见于无线通信系统中的滤波器、放大器和振荡器电路，用于精确控制信号频率和提升系统性能。该电容器也广泛应用于测试测量设备、雷达系统、卫星通信、军事电子设备以及高频电源转换电路中。其优异的高频特性和高稳定性使其成为高端射频前端模块、无线基站、射频识别（RFID）设备以及射频功率放大器的理想选择。

AVX 06035A820JXQW、Kemet C0805C820J5GACTU、TDK CGA1A2X7R1H820J