HUF75307D 时间：2025/8/25 5:49:10 阅读：13

HUF75307D 是由 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率功率开关应用而设计，适用于各种电源管理和功率转换系统。HUF75307D 采用先进的沟道技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和优异的热性能。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（最大值）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

HUF75307D MOSFET 具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件支持高达 60A 的连续漏极电流，适用于需要大电流处理能力的功率应用。此外，HUF75307D 具有良好的热稳定性，其最大功耗为 150W，能够在高温环境下稳定运行。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，方便在 PCB 上安装和使用。此外，其栅极驱动电压范围宽（±20V），能够兼容多种控制电路，提高设计灵活性。HUF75307D 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了功率转换效率。最后，该器件的耐温范围为 -55°C 至 +175°C，确保在各种极端环境条件下都能稳定工作。
　　在可靠性方面，HUF75307D 具有优异的短路和过载保护能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的保护，延长器件的使用寿命。其沟道设计优化了载流子的流动路径，进一步降低了导通损耗，并提升了器件的动态性能。这些特性使得 HUF75307D 成为高要求功率电子设备的理想选择。

应用

HUF75307D MOSFET 广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统（BMS），特别是在高电流需求的场合，如服务器电源、工业控制系统和电动工具。由于其高电流容量和低导通电阻，该器件在电机驱动和功率放大器电路中也有广泛应用。此外，HUF75307D 可用于逆变器、电源模块和不间断电源（UPS）系统中，提供高效、稳定的功率转换。在汽车电子领域，该 MOSFET 常用于汽车启动器、电动助力转向系统（EPS）和其他高功率车载电子设备。其宽温度范围和高可靠性也使其适用于航空航天、军工和工业自动化等对环境要求较高的应用场合。