时间：2025/11/3 17:42:09
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CY7C1612KV18-250BZXI 是 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies 的一部分）生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（Dual-Port SRAM）。该器件属于 QDR? II+（Quad Data Rate II+）SRAM 系列，专为高性能网络和通信系统中的数据缓冲和队列管理而设计。其主要特点是支持独立的读写操作在两个端口上同时进行，从而实现极高的吞吐量和灵活性。该芯片采用同步架构，能够在时钟信号的上升沿和下降沿都传输数据，显著提升了有效数据速率。CY7C1612KV18-250BZXI 提供 144 引脚 BGA 封装，适用于对空间和散热有严格要求的高端应用场合。它广泛应用于路由器、交换机、基站、无线回传设备以及其他需要高带宽、低延迟内存访问的电信基础设施中。该器件工作电压为 1.8V ± 0.15V，符合现代低功耗系统的设计需求，并具备出色的信号完整性和电气性能。
制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
产品系列：QDR II+ SRAM
存储容量：18 Mb（1 M x 18 位）
组织结构：1M Words × 18-Bit
工作电压：1.8V ± 0.15V
最大访问时间：250 ps
时钟频率：最高可达 500 MHz
数据速率：1000 Mbps（DDR 实现）
接口类型：并行同步双端口
输入/输出逻辑电平：HSTL Class I
封装类型：144-ball BGA（10×13 mm）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数量：144
端口类型：两个独立的异步端口（A 和 B）
每端口带宽：支持高达 1 GWord/s
刷新机制：无需刷新（SRAM 特性）
电源管理：支持低功耗待机模式
CY7C1612KV18-250BZXI 具备卓越的高性能与可靠性，是 QDR? II+ 架构的典型代表，特别针对高吞吐量通信系统的内存需求进行了优化。该器件的核心优势在于其真正的双端口架构，允许两个独立的主机或处理器同时访问同一存储阵列而不会发生冲突。每个端口均可独立执行读写操作，且支持流水线命令结构，极大提升了数据处理效率。通过使用 DDR（双倍数据率）技术，在时钟的上升沿和下降沿均能传输数据，使得有效数据速率达到 1000 Mbps，满足了现代高速网络设备对实时数据流处理的要求。
该芯片采用 HSTL（High-Speed Transceiver Logic）Class I 接口标准，确保了在高频下仍具有良好的信号完整性与抗干扰能力，适合长距离板级布线。此外，其 1.8V 的核心电压不仅降低了整体功耗，还提高了系统集成度，便于在多层 PCB 设计中实现紧凑布局。器件内部集成了可编程驱动强度和片上终端匹配（ODT），有助于减少外部匹配元件的数量，简化电路设计并提升稳定性。
CY7C1612KV18-250BZXI 还具备严格的时序控制机制，支持精确的读写延迟调节，适应不同主控芯片的接口时序要求。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于户外通信基站或工业控制场景。封装形式为小型化的 144-ball BGA（10×13 mm），有利于节省 PCB 面积，但同时也对焊接工艺和热管理提出了较高要求，推荐采用回流焊工艺进行装配。
CY7C1612KV18-250BZXI 主要用于需要极高带宽和低延迟的数据通路系统中。典型应用场景包括核心网路由器、多千兆以太网交换机、光传输设备、无线基站基带单元以及测试测量仪器等。在这些系统中，它常被用作数据包缓冲区、FIFO 替代方案、DMA 队列或协处理器之间的共享内存桥梁。由于其双端口特性，非常适合两个处理器（如 FPGA 与 DSP 或两个 ASIC）之间需要高速共享数据的架构。例如，在通信设备中，一个端口可连接到网络处理器用于接收数据包头信息，另一个端口则连接到交换矩阵控制器用于转发决策，从而实现无缝并发操作。此外，该器件也可用于雷达信号处理、医疗成像设备中的帧缓存，以及高性能计算中的临时数据暂存。得益于其低功耗特性和工业级温度适应能力，该芯片也适用于远程接入点、边缘计算节点等对能耗敏感且环境复杂的部署场景。
CY7C1622KV18-250BZXC
CY7C1615KV18-250BZXC
IS45S16320D-250BLI
