型号：MTB17A03V8
　　制造商：Magnachip Semiconductor
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：17A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：70A
　　导通电阻(Rds(on))：3.8mΩ @ Vgs=10V, Id=8.5A
　　导通电阻(Rds(on))：4.6mΩ @ Vgs=4.5V, Id=8.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：2700pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容(Coss)：1050pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　反向恢复时间(Trr)：30ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大功耗(Pd)：125W @ Tc=25°C

MTB17A03V8采用先进的Trench MOSFET工艺，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了在大电流工作条件下的功率损耗。其典型的Rds(on)在Vgs=10V时仅为3.8mΩ，这使得器件在高负载情况下仍能保持较低的温升，提升了整体系统效率。该低Rds(on)特性对于电池供电设备或需要长时间运行的工业电源尤为重要，有助于延长设备使用寿命并减少散热设计复杂度。
　　该器件具备出色的开关性能，输入电容Ciss为2700pF，输出电容Coss为1050pF，在高频开关应用中表现出良好的响应速度和较小的驱动损耗。同时，其反向恢复时间Trr仅为30ns，意味着体二极管具有较快的恢复能力，减少了在同步整流或桥式电路中的反向恢复损耗，避免了因电流回流引起的额外发热问题，提高了系统的能效和稳定性。
　　MTB17A03V8的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或PWM控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，±20V的栅源电压耐受能力增强了器件在电压波动环境下的安全性，防止因栅极过压导致的永久性损坏。
　　该MOSFET采用TO-252封装，具有优良的热传导性能，底部金属片可直接焊接至PCB散热焊盘，实现高效散热。其最大功耗可达125W（在壳温25°C条件下），并在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和汽车电子环境。此外，器件通过了AEC-Q101认证，表明其具备车规级可靠性，可用于车载电源系统。
　　MTB17A03V8还具备较强的雪崩耐量，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，提高了系统的抗干扰能力和长期运行的可靠性。这些综合特性使其成为高性能电源转换、电机驱动和DC-DC变换器中的理想选择。

MTB17A03V8广泛应用于各类中高功率开关电源系统，包括但不限于同步降压转换器、DC-DC buck变换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于服务器电源、笔记本电脑适配器、LED驱动电源和工业电源模块等对效率要求较高的场合。在电动工具和小型电机控制中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中作为主开关元件，实现高效的能量传输与精确的速度调节。此外，得益于其良好的热性能和可靠性，MTB17A03V8也常见于车载电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源单元。在通信设备中，该MOSFET可用于电信整流模块和基站电源系统，确保持续稳定的电力供应。其逻辑电平兼容特性也使其适用于由微处理器直接控制的数字电源架构中，实现快速响应和动态负载调整。总之，凡涉及高效、高电流开关操作的应用场景，MTB17A03V8均能提供稳定可靠的性能表现。

AON6260
　　SISS808DN-T1-GE3
　　IRLR8726PbF