MSASE063SB5104KFNA01 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在各种复杂的电力电子系统中提供高效的功率转换。
型号:MSASE063SB5104KFNA01
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):650V
连续漏极电流(Id):32A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
总功耗(Ptot):275W
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +150℃
MSASE063SB5104KFNA01 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特性包括:
1. 高耐压能力,可承受高达 650V 的漏源电压,适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻 (R5mΩ,能够显著降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷 (Qg),使其适合高频开关应用。
4. 强大的电流处理能力,支持高达 32A 的连续漏极电流。
5. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃),保证在极端条件下仍能稳定运行。
6. 小型封装设计,有助于节省电路板空间并简化系统布局。
MSASE063SB5104KFNA01 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
2. 电机驱动和逆变器应用中的功率开关。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的高效功率转换模块。
MSASD063TB5104KFA01, MSASE063SA5104KFNA01