2SC4261QI-TL是一款NPN型晶体管,主要用于高频率应用,如射频放大器和开关电路。这款晶体管以其高增益、低噪声和优异的高频性能著称,适用于需要高性能的电子设备。
类型:NPN晶体管
最大集电极-发射极电压(Vceo):50V
最大集电极电流(Ic):150mA
最大功耗(Ptot):300mW
频率范围:100MHz至1GHz
电流增益(hFE):110至800(根据不同的电流和电压条件)
噪声系数:5dB(最大)
封装类型:SOT-23
2SC4261QI-TL晶体管具有多个显著特性,使其适用于高性能电子电路。首先,它具有高电流增益,可在低电流条件下提供稳定的放大性能。其次,该晶体管的噪声系数较低,使其适用于射频信号放大,从而保持信号的清晰度和完整性。
此外,2SC4261QI-TL的高频响应优异,适用于100MHz至1GHz的射频应用。这种晶体管的封装采用SOT-23小型封装,不仅节省空间,还具有良好的热性能和电气性能,适合高密度电路设计。
其工作温度范围广泛,通常在-55°C至150°C之间,适用于各种环境条件。另外,该晶体管具有较高的可靠性和稳定性,适合长期运行和高要求的应用。
2SC4261QI-TL晶体管广泛应用于射频放大器、高频开关电路、通信设备中的信号放大、无线局域网(WLAN)、蓝牙模块、射频识别(RFID)系统以及消费电子和工业控制系统。它也常用于低噪声前置放大器中,以提高信号的接收质量。
2SC4261, 2SC4262, 2N5179, BFQ19, BFQ20