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MT53E384M32D2DS-053 AAT:E 发布时间 时间:2025/6/4 20:57:46 查看 阅读:7

MT53E384M32D2DS-053 AAT:E 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,主要应用于需要大容量数据存储的场景。该型号属于 Micron(美光)的 MT53 系列,采用先进的存储技术,具有高可靠性、低功耗和快速读写性能。其设计符合行业标准规范,支持多种接口协议,适用于消费电子、工业设备及嵌入式系统等领域。

参数

存储容量:384Mb
  封装形式:TSOP-II(48)
  工作电压:2.7V~3.6V
  接口类型:Async
  数据宽度:32bit
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  引脚数:48

特性

MT53E384M32D2DS-053 提供了高效的存储解决方案,具有以下特点:
  1. 高密度存储能力,能够满足大容量需求。
  2. 支持异步接口操作,简化了与主机系统的通信过程。
  3. 具备低功耗模式,可显著延长电池供电设备的续航时间。
  4. 强大的错误检测与纠正机制,确保数据完整性和可靠性。
  5. 广泛的工作温度范围使其适应各种环境条件下的应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

这款芯片广泛用于各类需要高效数据存储的场景中,包括但不限于:
  1. 数码相机和摄像机中的图像和视频存储。
  2. 智能手机和平板电脑等移动设备的数据存储模块。
  3. 工业控制设备中的程序代码和配置参数存储。
  4. 嵌入式系统中的固件存储,如网络路由器和交换机。
  5. 游戏机和其他消费类电子产品中的内容存储。

替代型号

MT53E384M32D2GS-053
  MT53E384M32D2CS-053
  MT53E384M32D2DS-083

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MT53E384M32D2DS-053 AAT:E参数

  • 现有数量1,180现货
  • 价格1 : ¥126.80000托盘
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量12Gb
  • 存储器组织384M x 32
  • 存储器接口-
  • 时钟频率1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.1V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳200-WFBGA
  • 供应商器件封装200-WFBGA(10x14.5)