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IXGH10N100AU1 发布时间 时间:2025/8/6 8:51:01 查看 阅读:24

IXGH10N100AU1 是一款由 IXYS 公司生产的高功率双极型晶体管(BJT),专门设计用于高电压和高电流应用。这款晶体管的额定集电极-发射极电压为1000V,集电极电流可达10A,适用于需要高电压阻断能力和良好导通特性的电力电子系统。IXGH10N100AU1 采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适合在高温环境下运行。该器件广泛应用于电源转换器、电机驱动、工业控制系统和各种高功率电子设备中。

参数

晶体类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vce):1000V
  集电极电流(Ic):10A
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散:125W
  基极-发射极电压(Vbe):5V
  电流增益(hFE):在 Ic=2A, Vce=5V 时,典型值为 12
  过渡频率(fT):5MHz
  饱和压降(Vce_sat):在 Ic=10A 时,最大为 3.5V

特性

IXGH10N100AU1 是一款高性能的高压大电流晶体管,具有优异的导通特性和高可靠性。其主要特性包括:高电压阻断能力(1000V),能够在高电压环境下稳定工作;10A 的集电极电流能力,适合高功率应用;TO-247 封装提供良好的散热性能,确保在高功率运行时的热稳定性;低饱和压降(Vce_sat)在高电流下仍能保持较低的功率损耗,提高整体效率;具备较高的电流增益(hFE),确保在驱动电路中能够有效放大信号;5MHz 的过渡频率使其适用于中高频功率转换应用。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,可以在异常工况下提供一定的保护作用,适用于要求高可靠性的工业和电力系统。
  在设计上,IXGH10N100AU1 采用了先进的硅工艺和优化的结构设计,以降低开关损耗和导通损耗,提高整体能效。其基极驱动电路相对简单,适合与各种驱动电路配合使用,广泛应用于 DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、工业电机控制以及高功率 LED 驱动等场合。该晶体管还具备良好的抗过载能力,在高温或高电流条件下仍能保持稳定的工作状态。

应用

IXGH10N100AU1 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统。常见的应用包括:高功率 DC-DC 转换器、电机驱动器、工业电源、UPS(不间断电源)系统、逆变器、焊接设备、高频电源以及各种高功率 LED 驱动电路。此外,该晶体管也适用于需要快速开关和高可靠性的自动化控制系统和电力调节设备。

替代型号

IXGH10N80AU1, IXGH10N90AU1, IXGH10N120AU1

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IXGH10N100AU1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1000V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)4V @ 15V,10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20A
  • 功率 - 最大100W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件