IRFR4510TR是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于各类开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
该MOSFET的最大额定电压为60V,适用于低压应用环境,同时具备出色的电流处理能力,最大连续漏极电流可达97A(在特定结温条件下)。其低导通电阻设计有助于降低传导损耗,提高整体效率。
最大额定电压:60V
最大连续漏极电流:97A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷(典型值):38nC
总耗散功率(Tc=25℃):180W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263
IRFR4510TR的主要特点是其优异的电气性能和可靠性。首先,它具有非常低的导通电阻,仅为4.5mΩ(典型值),这使其在高电流应用中能够显著降低功耗。
其次,该器件的栅极电荷较小,仅为38nC(典型值),从而实现了快速的开关速度并减少了开关损耗。
此外,该MOSFET的工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行,适用于工业和汽车领域中的各种严苛条件。
最后,TO-263封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于表面贴装工艺,简化了生产流程。
IRFR4510TR广泛应用于需要高效功率管理的场景中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池管理系统(BMS)
6. 工业自动化设备
由于其出色的电气特性和可靠性,这款MOSFET成为许多高性能电力电子系统中的理想选择。
IRLR7843PBF, IXTYR20N06L4