时间：2025/9/14 16:14:36
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PBSS5630PA,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用高性能的 Trench MOS 工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和高效率的特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种功率应用。其封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），具备优良的热性能和空间节省优势，非常适合高密度电源设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻(RDS(on))：最大 2.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56（双侧散热）
PBSS5630PA,115 具备多项优异的电气和热性能特性，使其在功率 MOSFET 领域中表现突出。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺，使得导通电阻 RDS(on) 极低，在 Vgs=10V 的条件下，最大值仅为 2.4mΩ，从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，其额定漏极电流高达 100A，适用于大电流应用场景。
该 MOSFET 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种严苛的环境条件，具备良好的稳定性和可靠性。LFPAK56 封装不仅提供了紧凑的尺寸，节省了 PCB 空间，还通过双侧散热设计提升了热管理性能，有助于降低工作温度，延长器件寿命。
另外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如 10V 栅压），兼容多种控制电路，简化了驱动电路设计。其高雪崩能量耐受能力和良好的短路耐受性进一步增强了其在工业和汽车电子应用中的可靠性。
PBSS5630PA,115 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率系统中。典型的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源分配系统、工业自动化设备、服务器电源和汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，LFPAK56 封装的优异散热性能使其特别适用于空间受限且对热管理要求较高的应用场合。
SiSS100N10NM-T2-GE3, IPPB60R022C7, SQJQ160EP
