MMDT2227M 时间：2025/8/11 18:25:54 阅读：28

MMDT2227M 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管（BJT）阵列，包含两个独立的 NPN 晶体管。该器件采用小型的 Surface Mount Technology（SMT）封装，适用于需要高密度集成和空间紧凑的应用场合。MMDT2227M 具有良好的电气特性和可靠性，广泛用于信号放大、开关电路以及逻辑电平转换等应用场景。

参数

晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：25V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：100 至 300（根据工作点不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C

特性

MMDT2227M 晶体管阵列具有多个关键特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，该器件采用双晶体管配置，允许在单个封装中实现两个独立的 NPN 晶体管功能，从而节省电路板空间并减少组件数量。其次，其最大集电极电流为 100mA，适用于低功率放大和开关应用。此外，MMDT2227M 的 hFE 值范围为 100 至 300，提供了良好的电流放大能力，适用于各种模拟和数字电路。
　　该器件的额定电压较高，集电极-发射极电压（Vce）可达 25V，集电极-基极电压（Vcb）为 30V，适用于中等电压操作环境。同时，其功率耗散能力为 200mW，能够满足大多数低功耗设计需求。MMDT2227M 采用 SOT-23 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化装配流程。此外，该晶体管的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，适用于工业和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。

应用

MMDT2227M 适用于多种电子电路设计，特别是在需要紧凑布局和高可靠性的场合。其典型应用包括信号放大电路、逻辑电平转换器、数字开关电路以及 LED 驱动电路。由于其双晶体管结构，该器件可以用于构建差分放大器、电流镜电路以及各种传感器接口电路。在工业控制和汽车电子系统中，MMDT2227M 可用于驱动继电器、电机和 LED 显示屏等负载。此外，该晶体管也常用于电源管理和电压调节电路，提供稳定的电流控制和信号切换功能。