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MMDT2227M 发布时间 时间:2025/8/11 18:25:54 查看 阅读:24

MMDT2227M 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT)阵列,包含两个独立的 NPN 晶体管。该器件采用小型的 Surface Mount Technology(SMT)封装,适用于需要高密度集成和空间紧凑的应用场合。MMDT2227M 具有良好的电气特性和可靠性,广泛用于信号放大、开关电路以及逻辑电平转换等应用场景。

参数

晶体管类型:NPN 双极型晶体管
  集电极-发射极电压(Vce):25V
  集电极-基极电压(Vcb):30V
  发射极-基极电压(Veb):5V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  功率耗散(Pd):200mW
  直流电流增益(hFE):100 至 300(根据工作点不同)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  存储温度范围:-55°C 至 150°C

特性

MMDT2227M 晶体管阵列具有多个关键特性,使其适用于多种电子电路设计。首先,该器件采用双晶体管配置,允许在单个封装中实现两个独立的 NPN 晶体管功能,从而节省电路板空间并减少组件数量。其次,其最大集电极电流为 100mA,适用于低功率放大和开关应用。此外,MMDT2227M 的 hFE 值范围为 100 至 300,提供了良好的电流放大能力,适用于各种模拟和数字电路。
  该器件的额定电压较高,集电极-发射极电压(Vce)可达 25V,集电极-基极电压(Vcb)为 30V,适用于中等电压操作环境。同时,其功率耗散能力为 200mW,能够满足大多数低功耗设计需求。MMDT2227M 采用 SOT-23 封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化装配流程。此外,该晶体管的工作温度范围宽,从 -55°C 到 150°C,适用于工业和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。

应用

MMDT2227M 适用于多种电子电路设计,特别是在需要紧凑布局和高可靠性的场合。其典型应用包括信号放大电路、逻辑电平转换器、数字开关电路以及 LED 驱动电路。由于其双晶体管结构,该器件可以用于构建差分放大器、电流镜电路以及各种传感器接口电路。在工业控制和汽车电子系统中,MMDT2227M 可用于驱动继电器、电机和 LED 显示屏等负载。此外,该晶体管也常用于电源管理和电压调节电路,提供稳定的电流控制和信号切换功能。

替代型号

BC847BS、MMBT2222A、2N3904、PN2222A

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