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MDMA210P1600YD 发布时间 时间:2025/8/6 3:34:03 查看 阅读:28

MDMA210P1600YD 是一款由 Micron Technology 生产的高性能 DDR2 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)模块。该模块专为需要高速数据访问和稳定性能的计算和嵌入式应用设计,适用于服务器、工作站、工业控制设备等领域。其容量为1GB(128MB x 8),工作频率为1600MHz,符合JEDEC标准,确保了广泛兼容性和可靠性。

参数

容量:1GB(128MB x 8)
  类型:DDR2 SDRAM
  工作频率:1600MHz(PC2-6400)
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口:并行接口
  数据宽度:16位
  封装尺寸:54引脚TSOP
  存取时间:5.4ns
  

特性

MDMA210P1600YD 是一款工业级的 DDR2 存储器模块,具备出色的性能和稳定性。该模块采用先进的CMOS制造工艺,具有低功耗、高可靠性和长寿命的特点。其1600MHz的工作频率确保了快速的数据传输速率,适用于需要高带宽的应用场景。
  此外,该器件支持异步和同步两种操作模式,用户可以根据系统需求灵活选择。其5.4ns的存取时间使得该模块在高性能嵌入式系统和工业计算机中表现出色。MDMA210P1600YD 采用TSOP封装形式,确保了良好的散热性能和机械稳定性,适用于严苛的工业环境。

应用

MDMA210P1600YD 主要应用于需要高速存储和稳定工作的工业设备和嵌入式系统,包括工业控制计算机、通信设备、测试测量仪器、汽车电子系统以及医疗设备。其高可靠性和宽温工作范围使其成为工业自动化、远程监控、边缘计算和网络基础设施的理想选择。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, K4T1G164QF-LCB8

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MDMA210P1600YD参数

  • 现有数量6现货
  • 价格1 : ¥507.52000盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对串联
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)210A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.13 V @ 210 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 mA @ 1600 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳Y4-M6
  • 供应商器件封装Y4-M6