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W988D6FBGX6E TR 发布时间 时间:2025/8/21 1:51:42 查看 阅读:18

W988D6FBGX6E TR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该型号属于移动式 SDRAM 系列,专为便携式电子设备和低功耗系统设计,提供高速数据存取能力,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式设备和多媒体播放器等应用场景。

参数

容量:128MB
  数据宽度:16位
  封装类型:FBGA
  电源电压:1.7V - 3.3V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装尺寸:54-ball FBGA
  时钟频率:最高可达166MHz
  接口类型:SDRAM接口

特性

W988D6FBGX6E TR 具备低功耗特性,支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有效降低功耗,延长电池寿命。
  其高性能架构支持高速数据传输,适用于对响应速度和处理能力要求较高的便携式设备。
  该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备良好的热稳定性和电气性能,适用于复杂的工作环境。
  此外,该芯片具有较高的集成度,有助于减小PCB板的占用空间,提高系统设计的灵活性。
  支持多种工作模式,包括突发模式、页模式和同步访问模式,可满足不同应用场景的需求。

应用

该芯片广泛应用于移动电话、智能穿戴设备、数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等消费类电子产品中。
  同时,它也可用于工业控制设备、医疗监测设备、车载导航系统等需要低功耗和高性能存储的嵌入式系统中。
  由于其紧凑的封装和低功耗特性,非常适合空间受限和电池供电的应用场景。

替代型号

W988D6FBHX6E TR
  W988D6FBH6E TR
  W988D6FBGX6I TR

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W988D6FBGX6E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-VFBGA(8x9)