时间：2025/7/11 20:15:42
阅读：12
SI3458BDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装，能够有效降低热阻并提高散热性能。
这种 MOSFET 器件广泛应用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机控制、电池保护等场景，尤其适合对效率和空间有严格要求的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷：12nC
输入电容：1990pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
SI3458BDV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高电流承载能力使其能够满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。
4. 热增强型封装设计有助于改善散热表现，延长器件寿命。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C) 确保其在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料保证绿色生产与使用。
7. 提供优异的 ESD 和雪崩耐量能力，提高了系统的稳定性。
该 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流及降压/升压转换。
2. 便携式设备中的负载开关和电池保护电路。
3. 工业控制中的电机驱动和电磁阀控制。
4. 数据通信设备中的电源管理模块。
5. 各类消费电子产品中的高效功率转换方案。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率调节部分。
SI3458DY-T1-E3
SI3458DD-T1-E3
IRL3803TRPBF
