MT41J256M16HA-107:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生产的 DDR3L SDRAM 芯片,广泛应用于对内存带宽和低功耗有较高需求的设备中。该芯片采用先进的制程工艺制造,支持 DDR3L 的低电压标准 (1.35V),具有高容量、高性能和低功耗的特点。其设计符合 JEDEC 标准,适用于笔记本电脑、平板电脑、嵌入式系统和其他便携式电子设备。
类型:SDRAM
接口:DDR3L
容量:256 M x 16 = 4GB
组织结构:8-bank architecture
数据宽度:x16
Vdd/Vddq:1.35V
速度等级:1066 Mbps
tCL/CAS延迟:7
封装形式:FBGA 78-ball
工作温度范围:-40°C to +85°C
MT41J256M16HA-107:E 提供了出色的性能和低功耗特性,主要特点包括:
1. 支持高达 1066 Mbps 的数据传输速率,能够满足现代计算和图形处理应用的需求。
2. 采用 DDR3L 技术,运行在 1.35V 的低电压下,相比传统 DDR3 的 1.5V 更节能。
3. 具备 8 银行架构,可以更高效地管理内存访问。
4. FBGA 封装形式,适合高密度 PCB 设计,同时提高了可靠性和散热性能。
5. 支持突发长度为 4 和 8,提供灵活的数据传输模式。
6. 工作温度范围宽泛,适应多种环境下的使用需求。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
该芯片主要用于需要大容量、高性能和低功耗存储解决方案的场景,具体应用包括:
1. 笔记本电脑和超极本中的主内存模块。
2. 平板电脑和其他移动设备的内部存储扩展。
3. 嵌入式系统,例如工业自动化控制器、医疗设备和网络通信设备。
4. 游戏机和多媒体播放器等消费类电子产品。
5. 数据中心服务器和存储系统中的缓存或辅助存储组件。
MT41J256M16HA-125:E
MT41J256M16HG-107:E
MT41J256M16HH-107:E