IRFB7537 时间：2025/6/18 21:36:17 阅读：70

IRFB7537 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、电源管理电路以及电机驱动等。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，支持表面贴装技术（SMD），使其非常适合需要高功率密度和小型化设计的场合。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.8mΩ
　　栅极电荷：4nC
　　总电容：140pF
　　最大功耗：9W
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃

特性

IRFB7537 的主要特点是其低导通电阻，仅为 1.8mΩ（在 Vgs=10V 的情况下）。这使得它在高频开关应用中能够显著降低传导损耗，提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷较小（仅 4nC），有助于实现快速开关，从而减少开关损耗。
　　由于采用了先进的 Trench 工艺，IRFB7537 在热性能方面表现优异，能够在较高的结温下稳定工作，适合高温环境下的应用。同时，其 SMD 封装形式简化了 PCB 设计，并增强了散热能力。
　　该器件还具备出色的抗雪崩能力，即使在非理想条件下也能提供可靠的保护功能。

应用

IRFB7537 广泛应用于各种高频开关场景，包括但不限于以下领域：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC-DC 转换器
　　- 电池管理系统（BMS）
　　- 电机驱动电路
　　- LED 驱动器
　　- 通信设备中的电源模块
　　由于其高效的性能和紧凑的封装尺寸，IRFB7537 成为许多对空间和能效要求较高的应用的理想选择。