类型：MOSFET 模块
　　最大漏源电压（VDS）：1500V
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（最大）
　　栅极电荷（Qg）：30nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：模块化封装，带绝缘基板
　　短路耐受能力：有

80MXG1500M20X30 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），仅为 20mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该模块采用模块化设计，便于散热并适用于高功率密度应用。此外，其最大漏源电压可达 1500V，能够应对高压应用中的严苛条件。该器件具有良好的热稳定性和短路保护能力，使其在极端工作条件下依然能够保持可靠性。
　　这款 MOSFET 模块的栅极电荷（Qg）为 30nC，确保了快速的开关响应，适用于高频开关电源和逆变器系统。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适合在各种环境条件下运行。模块的封装形式带有绝缘基板，有助于简化安装过程并提高系统的绝缘性能。由于其优异的电气和热性能，该器件广泛应用于工业电源、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动汽车充电系统以及电机驱动器等领域。

80MXG1500M20X30 主要应用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统。例如，在太阳能逆变器中，该模块可以作为主功率开关，实现高效的直流到交流转换。在电动汽车充电设备中，它可用于整流和功率因数校正（PFC）电路，提高充电效率并减少能量损耗。此外，该器件也常用于工业变频器、不间断电源（UPS）系统以及大功率 DC-DC 转换器中，为这些系统提供高可靠性和高性能的功率转换解决方案。由于其优异的热性能和高短路耐受能力，该模块也适合用于高负载、高环境温度的严苛应用场合。

IXYS：80MXG1500M20X30 可以被 IXYS 的 80MXP1500M20X30 或 80MXG1200M20X30 替代，这些型号在参数性能上相近，适用于类似的应用场景。