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HH21N2R4B101CT 发布时间 时间:2025/7/4 4:38:00 查看 阅读:7

HH21N2R4B101CT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  HH21N2R4B101CT的主要特点是其优化的电气参数和封装设计,使其非常适合在高电流和高频率的应用场景中使用。此外,它还具备良好的抗静电能力(ESD),以确保在各种复杂环境下的稳定性。

参数

型号:HH21N2R4B101CT
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源极击穿电压:40V
  最大漏极电流:2A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关时间:开启延迟时间 10ns,关断延迟时间 15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

HH21N2R4B101CT的关键特性包括以下几点:
  1. 超低导通电阻,有助于降低功率损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频应用场合,如DC-DC转换器和逆变器。
  3. 强大的散热能力,确保器件在高温环境下长期稳定运行。
  4. 内部集成保护功能,例如过流保护和短路保护,提高了使用的安全性。
  5. 小型化封装设计,适合空间受限的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。

应用

HH21N2R4B101CT适用于多种电力电子领域,具体应用如下:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换电路。
  4. 汽车电子系统中的电源管理和信号调节模块。
  5. 通信设备中的高效DC-DC转换解决方案。
  6. LED照明驱动电路中的开关组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP20NF06
  FDP5570
  AO3400

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HH21N2R4B101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.13984卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2.4 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-