MRF175LV 时间：2025/9/3 13:59:00 阅读：28

MRF175LV 是一款由 NXP（恩智浦）公司生产的高功率射频晶体管（RF Transistor），专为高功率射频放大器应用设计。该器件采用LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，适用于无线基础设施、广播、工业加热和射频测试设备等领域。MRF175LV能够在1.8 MHz至500 MHz的频率范围内高效运行，提供高线性度和高可靠性。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率：1.8 MHz至500 MHz
　　输出功率：175 W（典型值）
　　漏极电压：最大28 V
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：AB包塑料封装
　　增益：约18 dB（典型值）
　　效率：超过60%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　输出驻波比（VSWR）：< 10:1

特性

MRF175LV是一款性能卓越的射频功率晶体管，具有多个显著的技术特性。首先，它基于先进的LDMOS技术制造，使其在高频范围内保持高效率和高线性度。这种特性对于多载波通信系统和需要高保真信号放大的应用非常重要。此外，该器件的宽频工作能力使其适用于从低频到500 MHz的广泛频段，无需频繁更换元件即可满足多种应用需求。
　　MRF175LV在输出功率方面表现优异，能够提供高达175W的连续波（CW）功率输出，非常适合需要高功率放大的场景，如广播发射机和工业射频加热系统。该晶体管的高效率（超过60%）不仅减少了能源消耗，还降低了散热要求，从而提高了整体系统的可靠性和寿命。
　　该器件的工作电压范围宽广，漏极电压可达28V，使其在不同的电源配置下都能稳定运行。此外，其高输入和输出驻波比（VSWR）容限增强了在不理想负载条件下的鲁棒性，确保在各种工作环境下保持稳定性能。MRF175LV的封装设计优化了热管理和射频连接，采用AB包塑料封装，具有良好的散热能力和机械稳定性，适用于紧凑型设计和高密度电路布局。
　　由于其高可靠性设计，MRF175LV能够在恶劣环境下运行，如高温、高湿度和振动环境。其工作温度范围为-65°C至+150°C，使其适用于户外和工业级应用。这些特性使MRF175LV成为高性能射频放大器设计的理想选择，尤其是在对功率和效率要求较高的应用中。