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PHP30NQ15T 发布时间 时间:2025/7/1 19:55:00 查看 阅读:4

PHP30NQ15T 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合应用于多种高效能电源管理场景。其设计旨在降低功耗并提高系统效率,适用于汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中的负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。
  PHP30NQ15T 的最大漏源电压为 150V,能够承受较高的瞬态电压冲击,同时具备良好的热稳定性和电气特性。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏电流:30A
  导通电阻(典型值):0.045Ω
  栅极电荷:45nC
  总电容:1250pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

PHP30NQ15T 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下具有更高的可靠性。
  3. 快速开关性能,可以有效降低开关损耗。
  4. 热增强型封装设计,改善散热性能,支持更高功率密度的应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 提供优异的 ESD 和 RBSOA 性能,保证在恶劣环境下的稳定性。

应用

PHP30NQ15T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
  3. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
  4. LED 照明驱动电路中的功率调节。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 不间断电源 (UPS) 和电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。

替代型号

STP30NF15, IRFZ44N

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PHP30NQ15T参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压150 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流29 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.063 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间38 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散150 W
  • 上升时间50 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间48 ns
  • 零件号别名PHP30NQ15T,127