时间：2025/5/9 10:52:46
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EFMAF108是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于各种电源管理场景。它适合用作开关或放大器，在消费电子、工业控制以及汽车电子等领域中表现出色。
EFMAF108的设计优化了其在高频工作环境下的表现，同时提供了卓越的电流承载能力和耐压特性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：10A
导通电阻：8mΩ
总栅极电荷：25nC
输入电容：1000pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻确保了较高的效率和较低的功率损耗。
2. 快速开关性能使其非常适合高频应用。
3. 高电流处理能力使得该器件能够在大负载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性，即使在极端温度环境下也能保持可靠的工作状态。
5. 小型封装设计有助于节省PCB空间，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
6. 提供了强大的静电防护（ESD）功能，增强了产品的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流电机驱动与控制。
3. LED驱动电路。
4. 电池保护及管理系统。
5. 工业自动化设备中的信号隔离和功率转换。
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
IRFZ44N
FDP5802
AON7739
