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MT29F4G08ABAEAH4:E 发布时间 时间:2025/5/26 18:30:55 查看 阅读:14

MT29F4G08ABAEAH4 是由 Micron(镁光)生产的一款 NAND Flash 存储芯片。该系列芯片采用 3.3V 供电,支持标准的 NAND Flash 接口协议,广泛应用于嵌入式系统、数据存储设备以及消费类电子产品中。其主要特点是高密度存储和较快的数据传输速度。
  这款芯片属于 SLC(单层单元)NAND Flash 类型,具备较高的擦写寿命和可靠性,适合需要频繁读写的工业级应用。

参数

容量:4GB
  接口类型:8位异步 NAND Flash
  工作电压:3.3V
  页大小:2KB
  块大小:128KB
  数据传输模式:标准 NAND 接口
  擦写次数:100,000 次
  数据保持时间:10 年
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

MT29F4G08ABAEAH4 提供了可靠的存储解决方案,具有以下显著特性:
  1. 高密度存储能力,单颗芯片即可实现 4GB 的存储空间,适用于多种存储需求场景。
  2. 支持标准 NAND Flash 协议,兼容性良好,便于集成到各种嵌入式系统中。
  3. 较高的擦写寿命,SLC 技术确保了芯片在工业环境下的稳定性和耐久性。
  4. 快速的读写性能,能够满足实时数据处理的需求。
  5. 工作温度范围宽广,能够在极端条件下正常运行,适合工业和汽车领域应用。
  6. 数据保持时间长达十年,保证长期存储的可靠性。

应用

MT29F4G08ABAEAH4 芯片适用于多种需要大容量存储的应用场景,包括但不限于:
  1. 嵌入式系统中的固件存储。
  2. 数据记录设备,例如行车记录仪和监控摄像头。
  3. 消费类电子产品的本地存储,如机顶盒、路由器和智能家居设备。
  4. 工业控制设备中的程序和数据存储。
  5. 医疗设备的数据存储模块。
  6. 车载信息娱乐系统的存储单元。

替代型号

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  MT29F4G08ABBADH4
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MT29F4G08ABAEAH4:E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织512M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-VFBGA(9x11)