时间：2025/9/1 15:36:00
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IS61VPS102436B-250B3L-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的同步静态随机存取存储器（Sync SRAM）。该器件具有1M x 36位的存储容量，适用于需要高性能和高可靠性的系统设计。该SRAM采用同步架构，所有输入和输出操作均在时钟的上升沿进行，有助于提高系统的时序控制精度。该器件封装为165-TFBGA，适用于工业级工作温度范围，适合用于通信、网络设备、测试设备及高性能嵌入式系统。
容量：1M x 36位
电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：250MHz
封装：165-TFBGA
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：36位
工作模式：同步突发模式
封装类型：表面贴装
功耗：低功耗CMOS工艺
时钟频率：高达250MHz
输入/输出电平：LVTTL兼容
IS61VPS102436B-250B3L-TR 是一款高性能的同步静态随机存取存储器（Sync SRAM），具有1M x 36位的存储容量，能够满足高带宽和大数据量应用的需求。其同步架构设计使得所有的读写操作都在时钟上升沿进行，从而简化了时序控制并提高了系统的稳定性。该器件支持突发模式操作，允许在单一时钟周期内访问多个连续地址，显著提升了数据吞吐率。
供电方面，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适用于多种电源设计场景，同时其低功耗CMOS工艺确保了在高频率操作下的能效表现。封装方面，采用165-TFBGA封装形式，不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。
该SRAM器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于严苛环境下的应用。其LVTTL输入/输出电平兼容性使得它可以轻松集成到现有的系统中，无需额外的电平转换电路。此外，该器件具有高可靠性和长寿命，广泛用于通信基础设施、工业控制、测试设备和高性能嵌入式系统等领域。
IS61VPS102436B-250B3L-TR 适用于多种高性能存储应用场合，如通信设备中的数据缓冲、网络交换机和路由器中的高速缓存、测试与测量设备中的临时数据存储、嵌入式系统中的程序和数据存储等。其高速同步操作特性使其特别适合需要快速响应和高吞吐量的系统设计。
IS61VPS102436B-250BLL-TR, IS61VPS102436B-250B4I-TR, CY7C1380D-250BZC
