型号：H9DA2GG2GHMMBR-4EM
　　制造商：SK Hynix
　　类型：NAND闪存
　　容量：2GB
　　接口：ONFI 2.3
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　封装：TSOP
　　最大读取速度：50MB/s
　　最大写入速度：25MB/s
　　擦除块大小：128KB
　　数据保持时间：10年
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9DA2GG2GHMMBR-4EM NAND闪存芯片具有多项显著特性，首先是其高容量存储能力，支持2GB的存储容量，适用于需要较大存储空间的应用场景。
　　其次，该芯片支持ONFI 2.3接口标准，提供了较高的数据传输速率，最大读取速度可达50MB/s，最大写入速度为25MB/s。这种速度特性使得该芯片适用于需要快速数据存取的嵌入式设备和存储系统。
　　此外，该芯片支持1.8V和3.3V双电压供电模式，具备较好的兼容性和灵活性，可以适应不同电源环境下的应用需求。
　　该芯片采用TSOP封装形式，具备良好的物理稳定性和可靠性，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣的环境条件下稳定运行。
　　其擦除块大小为128KB，支持快速擦除操作，同时具备10年的数据保持能力，确保数据在断电状态下仍能长期保存。
　　在可靠性方面，该芯片支持错误校正码（ECC）功能，能够有效检测和纠正数据读写过程中的错误，提高数据存储的可靠性。

H9DA2GG2GHMMBR-4EM NAND闪存芯片适用于多种嵌入式系统和存储设备，如工业控制系统、车载电子设备、便携式终端设备和网络通信设备等。
　　在工业控制领域，该芯片可用于存储程序代码、固件和用户数据，满足工业设备对高可靠性和长寿命存储的需求。
　　在车载电子设备中，该芯片可应用于车载导航系统、车载娱乐系统和行车记录仪等设备中，提供稳定的数据存储解决方案。
　　在便携式终端设备方面，该芯片可广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等产品中，作为系统存储器使用，支持操作系统和应用程序的快速启动与运行。
　　此外，在固态硬盘（SSD）和存储扩展模块中，该芯片可用于构建低成本、高性能的存储方案，满足消费类和工业类用户对存储容量和性能的需求。

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