MT28EW128ABA1HPC-0SIT 是一款由 Micron(美光)制造的 NAND 闪存芯片,采用 3D TLC 架构,具有高密度和高性能的特点。该芯片主要用于嵌入式存储解决方案,例如 eMMC 和 UFS 存储设备中,适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
其设计结合了先进的制程技术和高可靠性,能够提供大容量的数据存储能力,同时保持较低的功耗。
容量:128Gb (16GB)
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
数据传输速率:最高可达 400 MT/s
擦写次数:高达 1000 次
工作温度范围:-25°C 至 +85°C
MT28EW128ABA1HPC-0SIT 使用了 Micron 的 3D NAND 技术,具备以下显著特点:
1. 高密度存储:单颗芯片实现了 128Gb 的存储容量,适合对空间要求严格的设备。
2. 高性能:支持 Toggle Mode 2.0 接口,提供了高达 400 MT/s 的数据传输速率,从而满足高速读写需求。
3. 低功耗设计:优化的电路架构确保芯片在运行时消耗较少的电能,延长设备的电池寿命。
4. 可靠性:尽管是 TLC 架构,但通过改进的纠错技术(ECC),保证了较高的数据可靠性和耐久性。
5. 广泛的工作温度范围:适应多种环境条件下的应用,从工业到消费类电子产品都适用。
这款芯片主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如智能手机和平板电脑中的内部存储单元。
2. 工业控制设备:需要大容量数据存储且对环境有一定要求的场景。
3. 网络通信设备:路由器、交换机等网络硬件的固件存储。
4. 消费类电子产品:包括数码相机、游戏机等对存储性能和稳定性有较高要求的产品。
MT29F128G08CUBAWP, MT29F128G08CUAAWP