FTD05N03N 时间：2025/8/25 7:06:31 阅读：26

FTD05N03N 是一款由富鼎（Fortune Semiconductor Corp，简称FSC）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等应用中。该器件采用先进的沟槽式工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于各种中低功率开关场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：5A（连续）
　　导通电阻(Rds(on)@Vgs=10V)：≤35mΩ
　　导通电阻(Rds(on)@Vgs=4.5V)：≤60mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

FTD05N03N 采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在同类产品中具有较低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高系统效率。
　　在VGS=10V时，RDS(ON)最大值为35mΩ，而在较低的VGS电压（如4.5V）下，RDS(ON)也仅为60mΩ，这使其适用于由低电压驱动的开关应用，如电池供电设备和负载开关控制。
　　该器件的漏极电流额定值为5A，能够满足大多数中低功率电源转换和负载管理需求，同时具备良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能稳定工作。
　　FTD05N03N 的封装形式为TO-252（DPAK），便于贴片安装，并具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于工业控制、电源适配器、电机驱动、LED照明电源等应用场景。

应用

FTD05N03N 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等；
　　2. 负载开关控制，用于便携式设备的电源管理；
　　3. 电池管理系统，如充电控制和放电保护；
　　4. 工业自动化设备中的电机驱动和继电器替代；
　　5. LED驱动电源、AC-DC适配器、充电器等消费类电子产品。