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FTD05N03N 发布时间 时间:2025/8/25 7:06:31 查看 阅读:17

FTD05N03N 是一款由富鼎(Fortune Semiconductor Corp,简称FSC)推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等应用中。该器件采用先进的沟槽式工艺技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优异的热稳定性,适用于各种中低功率开关场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):5A(连续)
  导通电阻(Rds(on)@Vgs=10V):≤35mΩ
  导通电阻(Rds(on)@Vgs=4.5V):≤60mΩ
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

FTD05N03N 采用先进的沟槽式MOSFET技术,使其在同类产品中具有较低的导通电阻,从而降低导通损耗并提高系统效率。
  在VGS=10V时,RDS(ON)最大值为35mΩ,而在较低的VGS电压(如4.5V)下,RDS(ON)也仅为60mΩ,这使其适用于由低电压驱动的开关应用,如电池供电设备和负载开关控制。
  该器件的漏极电流额定值为5A,能够满足大多数中低功率电源转换和负载管理需求,同时具备良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能稳定工作。
  FTD05N03N 的封装形式为TO-252(DPAK),便于贴片安装,并具有良好的散热性能,适合高密度PCB布局。
  此外,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性,适用于工业控制、电源适配器、电机驱动、LED照明电源等应用场景。

应用

FTD05N03N 主要应用于以下领域:
  1. 电源管理系统,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等;
  2. 负载开关控制,用于便携式设备的电源管理;
  3. 电池管理系统,如充电控制和放电保护;
  4. 工业自动化设备中的电机驱动和继电器替代;
  5. LED驱动电源、AC-DC适配器、充电器等消费类电子产品。

替代型号

Si2305DS, AO3400A, FDS6675, FDD05N03Z

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