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OZ815LN-B4-0-TR 发布时间 时间:2025/5/30 10:16:36 查看 阅读:6

OZ815LN-B4-0-TR 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业自动化领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装,能够满足多种应用需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:49A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:77nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

OZ815LN-B4-0-TR 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关条件下显著降低功耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达49A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,适用于高频电源转换器和电机控制器。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  5. 先进的封装技术,提高了散热效率和安装便利性。
  6. 内置ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。

应用

这款功率MOSFET芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流电路。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 通信设备中的高效功率转换。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的电力调节。
  OZ815LN-B4-0-TR 凭借其卓越的性能和可靠性,成为这些应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L

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