时间：2025/5/30 10:16:36
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OZ815LN-B4-0-TR 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业自动化领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装，能够满足多种应用需求。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：49A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：77nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
OZ815LN-B4-0-TR 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下显著降低功耗。
2. 高电流承载能力，支持高达49A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，适用于高频电源转换器和电机控制器。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 先进的封装技术，提高了散热效率和安装便利性。
6. 内置ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
这款功率MOSFET芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的同步整流电路。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 通信设备中的高效功率转换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的电力调节。
OZ815LN-B4-0-TR 凭借其卓越的性能和可靠性，成为这些应用的理想选择。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L
