时间：2025/6/26 0:23:58
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MT18N120G500CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效率、低损耗应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电力电子设备中，如开关电源、电机驱动和逆变器等。
该型号属于 MT 系列 MOSFET，主要特点是具备良好的热稳定性和可靠性，能够适应较宽的工作温度范围，同时提供出色的电气性能。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：500A
导通电阻（典型值）：3mΩ
栅极电荷：150nC
开关时间（典型值，开启/关闭）：40ns / 50ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：CT（定制化模块级封装）
MT18N120G500CT 具有以下显著特性：导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力 (500A)，适合大功率应用场景。
3. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然保持可靠性能。
5. 较宽的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适用于工业和汽车领域。
6. 高雪崩能量承受能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆中的牵引逆变器和电机控制。
3. 工业自动化中的伺服驱动和变频器。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换。
5. 高电流负载切换和保护电路。
其高性能和高可靠性使其成为许多大功率应用的理想选择。
MT18N120G400CT, IRFB4110TRPBF, FDP17N12E
