时间：2025/7/12 18:36:10
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DMG4407SSS-13 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于 Diodes Incorporated 的 DMG 系列。该器件采用微型 SOT563 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于便携式设备、负载开关、电池保护电路以及 DC-DC 转换器等应用。其出色的性能使其成为对空间要求严格且需要高效能解决方案的应用的理想选择。
DMG4407SSS-13 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，它还具备较高的漏极电流能力和出色的热稳定性，确保在各种工作条件下都能可靠运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT563
Vgs(th)：典型值 1.2V
Rds(on)：最大值 9mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
Id：连续漏极电流 2.8A
Bvdss：漏源击穿电压 30V
栅极电荷 Qg：典型值 1nC
输入电容 Ciss：典型值 15pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低功耗并提升效率。
2. 微型 SOT563 封装，节省 PCB 空间。
3. 高速开关能力，适用于高频电路设计。
4. 宽工作温度范围，保证在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 出色的热稳定性和电气性能，适应多种应用场景。
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电池保护电路。
3. 各类 DC-DC 转换器和电源管理模块。
4. 手机、平板电脑和其他消费类电子产品中的电源管理。
5. LED 驱动器和小型电机驱动控制。
6. 数据通信和网络设备中的信号切换功能。
DMG2305UX-7, DMG3415UFG-7, BSS138
