时间：2025/6/21 13:58:10
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WE24D3BC-B 是一款由 Vishay 生产的高效能、低功耗 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，广泛应用于汽车和工业领域。其主要特点包括极低的导通电阻以及出色的开关性能，适合于需要高效率和高温环境下的应用。
该 MOSFET 在设计上注重优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡，使其非常适合于负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻（典型值）：85mΩ
栅极电荷：8nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
逻辑电平栅极驱动：支持
1. 极低的导通电阻确保了高效的电力传输，减少了功率损耗。
2. 支持逻辑电平驱动，降低了对栅极驱动电路的要求。
3. 高温工作能力使其能够适应严苛的工作环境。
4. 快速开关性能减少了开关损耗，提高了系统整体效率。
5. 符合 AEC-Q101 标准，保证在汽车级应用中的可靠性。
6. 无铅封装设计，符合环保要求。
1. 汽车电子：如电机控制、电池管理系统 (BMS)、照明控制等。
2. 工业设备：如 DC-DC 转换器、开关电源、逆变器。
3. 消费类电子产品：便携式充电设备、USB 充电器。
4. 通信设备：信号调节模块、基站电源管理。
5. 开关模式电源 (SMPS)：用于提高效率并减少发热。
IRLML6402TRPBF, FDN340P
