时间：2025/5/23 3:35:20
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TF100N03M是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压、高效率的开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，广泛应用于电源管理、电机驱动和消费类电子产品中。
其额定耐压为30V，能够提供高达100A的连续电流，同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，使其在各种复杂的工作环境中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：100A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1800pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
TF100N03M具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件的鲁棒性。
5. 小尺寸封装，节省PCB空间，便于设计紧凑型产品。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
TF100N03M常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 直流无刷电机驱动中的功率级控制。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
5. 消费类电子产品中的高效功率转换模块。
6. LED照明驱动器中的关键功率器件。
IRFZ44N
STP100N03L
FDP150N03L
