时间：2025/4/30 16:49:07
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MSAST168BB5106MTNA01 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）制造的高性能、低功耗静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用先进的 CMOS 工艺技术，具有高可靠性和快速访问时间，适用于需要高速数据处理和临时存储的应用场景。它通常用于通信设备、工业控制系统、医疗仪器以及航空航天领域中的关键数据缓冲和处理。
该型号的 SRAM 提供了大容量存储空间，并且支持多种工作模式，包括标准读写操作、字节写入等功能。此外，其封装设计紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
存储容量：2Mb (262,144 x 8)
数据宽度：8位
访问时间：10ns
电源电压：3.3V ± 0.3V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
I/O 电平：LVTTL>封装类型：TQFP-100
引脚间距：0.5mm
MSAST168BB5106MTNA01 具有以下主要特性：
1. 高速运行能力：提供 10 纳秒的典型访问时间，确保系统能够快速完成数据读写任务。
2. 宽温度范围支持：能够在 -40°C 到 +125°C 的极端环境下稳定工作，非常适合恶劣条件下的应用。
3. 低功耗设计：通过优化的 CMOS 技术降低待机和活动状态下的功耗，延长电池寿命或减少散热需求。
4. 强大的可靠性：经过严格的测试和筛选流程，满足军工级和航天级应用要求。
5. 多种工作模式：支持标准读写、字节写入等操作，提高了灵活性和兼容性。
6. 小型封装：TQFP-100 封装节省了 PCB 布局空间，同时提供了良好的电气性能。
该芯片广泛应用于对性能和可靠性要求. 数据通信设备中的缓存和临时存储单元。
2. 医疗成像设备中的图像数据处理和存储。
3. 航空航天领域的导航与控制模块。
4. 工业自动化系统中的实时数据采集与处理。
5. 测试测量仪器中的高速数据缓冲区。
由于其出色的性能和稳定性，这款 SRAM 成为了许多高端应用的理想选择。
MSAST168BBA106MTNA01
MSAST168BB5106MTNA02
IS61WV10248BLL-10T
