HFH10N80 时间：2025/8/7 12:57:12 阅读：32

HFH10N80 是一款高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要高电压和高电流处理能力的电源管理应用中。该器件采用先进的高压MOSFET制造技术，具备优异的导通电阻和开关特性，能够在高电压条件下提供高效能的电力转换。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.65Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252、TO-263等

特性

HFH10N80 MOSFET具有多个显著的性能特点。首先，其高耐压能力（800V Vds）使其适用于多种高电压应用，例如电源适配器、LED照明驱动器以及电机控制电路。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.65Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，HFH10N80具有快速开关特性，可有效降低开关损耗，从而提高整体系统的能效。
　　该MOSFET的栅极驱动特性也经过优化，确保在常见的10V或12V驱动电压下能够充分导通，减少开关延迟和能量损耗。同时，其宽广的工作温度范围（-55℃至150℃）确保了在恶劣环境条件下的稳定运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。HFH10N80还具备良好的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定的性能，避免热失控的风险。

应用

HFH10N80 MOSFET主要用于高电压、中等电流的电源转换和控制电路中。常见应用包括开关电源（SMPS）、LED驱动电源、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和较低导通电阻的特点，该器件也广泛应用于节能照明系统、家电电源管理以及电动汽车的辅助电源系统中。