P4N100 时间：2025/7/23 22:28:46 阅读：7

P4N100 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种功率电子设备。P4N100 通常采用TO-220封装，适合高电流和高电压的工作环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：38A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

P4N100 MOSFET具有多个关键特性，使其在功率应用中表现优异。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的效率。其次，P4N100的高漏源电压（Vds）允许其在高压环境中工作，适用于多种电源转换和电机控制应用。
　　此外，P4N100的高电流承载能力（38A）使其适用于高功率负载的开关操作，如DC-DC转换器、逆变器和电源管理模块。该器件的TO-220封装设计有助于散热，确保在高功率运行时的稳定性。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和快速开关特性，减少了开关损耗并提高了响应速度。这些特性使P4N100在电源管理、电动工具、电动车控制器和工业自动化设备中得到广泛应用。

应用

P4N100 主要应用于需要高效功率控制的场合。例如，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池充电器和逆变器等电路中。此外，P4N100也广泛用于电动车、工业自动化设备以及需要高电流和高电压控制的电子系统中。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，P4N100 也常用于功率放大器、LED驱动器和负载开关等应用。在这些应用中，P4N100能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换。