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SRM2367C35 发布时间 时间:2025/12/25 17:03:49 查看 阅读:10

SRM2367C35是一款高性能的同步整流控制器芯片,主要用于反激式(Flyback)电源拓扑中的同步整流应用。该芯片由矽力杰(Silan Microelectronics)设计生产,旨在替代传统的肖特基二极管整流方案,通过驱动低压MOSFET实现高效的能量转换,显著降低整流损耗,提升电源系统的整体效率。SRM2367C35广泛应用于适配器、充电器、电源模块以及各类消费类电子产品中,尤其适用于追求高能效、小体积和低成本的AC-DC电源系统。该芯片采用先进的控制算法,能够精准检测MOSFET两端的电压变化,实现快速开通与关断,避免反向电流和误触发问题,从而确保系统稳定可靠运行。此外,SRM2367C35具备多种保护功能,如过温保护、短路保护和欠压锁定等,增强了系统的安全性和鲁棒性。其封装形式通常为SOT-23或DFN等小型化封装,便于在紧凑型PCB布局中使用,同时具有良好的散热性能和电气隔离能力。

参数

工作电压范围:4.5V ~ 18V
  启动电流:≤1μA
  静态工作电流:≤100μA
  最大驱动能力:2A(峰值)
  开关频率支持:高达500kHz
  导通延迟时间:典型值50ns
  关断延迟时间:典型值40ns
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装类型:SOT-23-6 或 DFN2x2-6

特性

SRM2367C35采用了先进的自供电架构和超低启动电流设计,能够在极低输入功率下正常启动并维持工作,特别适合轻载和待机功耗要求严格的电源应用。其核心控制逻辑基于次级侧电压采样技术,通过监测同步整流MOSFET的漏源极电压(VDS)来判断电流流向,并据此精确控制MOSFET的栅极驱动信号,确保在正向导通时及时开启,在电流反向时迅速关闭,从而最大限度地减少导通损耗和反向恢复损耗。该芯片内置了智能死区时间管理机制,有效防止上下桥臂直通或误触发现象,提升了系统的电磁兼容性和可靠性。为了适应不同变压器设计和寄生参数的影响,SRM2367C35集成了自适应开通和关断阈值调节功能,可根据实际工作条件动态优化驱动时序,进一步提高转换效率。此外,芯片内部还集成了完善的保护机制,包括过温保护(OTP)、过压保护(OVP)、短路保护(SCP)以及欠压锁定(UVLO),当检测到异常工况时会自动进入保护模式,避免器件损坏。其高集成度设计减少了外围元件数量,降低了系统成本和PCB面积。得益于CMOS工艺制造,该芯片具有出色的抗干扰能力和长期稳定性,可在高温、高湿及强电磁干扰环境下稳定运行。
  值得一提的是,SRM2367C35支持宽范围的输入电压和负载变化,具备良好的瞬态响应能力,适用于多输出电压配置的反激电源系统。其驱动输出具有较强的灌电流和拉电流能力,可快速充放电MOSFET栅极,降低开关损耗。同时,芯片具备自动退出同步整流模式的功能,在轻载或空载情况下可切换至打嗝模式或关闭驱动输出,避免不必要的能量消耗,满足国际能效标准如DoE Level VI和EU CoC Tier 2的要求。整体而言,SRM2367C35是一款高度集成、高效节能且可靠性强的同步整流控制器,适用于现代绿色电源的设计需求。

应用

SRM2367C35主要应用于中小功率AC-DC开关电源系统中,作为次级侧同步整流的核心控制单元。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的充电器和电源适配器,尤其适用于USB PD快充、QC协议等高效率电源设计。此外,它也广泛用于智能家居设备、路由器、网络摄像头、LED照明驱动电源以及工业控制电源模块中。由于其高效率和小尺寸特性,SRM2367C35非常适合空间受限但对能效有严格要求的应用场合。在多路输出的反激式电源中,该芯片可用于主路或辅路的同步整流控制,提升整体电源转换效率。同时,其优异的轻载效率表现使其成为待机电源、辅助电源(standby power)和电池供电系统的理想选择。在电动汽车车载充电系统、充电桩辅助电源、医疗电子设备等对安全性和可靠性要求较高的领域,SRM2367C35也能发挥重要作用。其稳定的性能和多重保护机制确保了长时间运行下的系统安全性。随着全球对能源效率标准的不断提升,SRM2367C35在满足各国能效法规方面展现出显著优势,是构建绿色环保电源解决方案的关键元器件之一。

替代型号

SY5801B
  MP6908A
  IP6603
  SGM6601

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