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MRF8S18260HSR6 发布时间 时间:2025/5/20 16:29:19 查看 阅读:2

MRF8S18260HSR6 是一款高性能的LDMOS射频功率晶体管,广泛应用于无线通信领域的功率放大器设计中。该器件采用先进的硅基LDMOS技术制造,具有高增益、高效率和出色的线性度等特性。其主要应用包括基站发射机、无线基础设施设备以及其他高频射频系统。
  该晶体管针对特定频率范围进行了优化,能够提供稳定的输出功率,并在复杂调制信号下保持较低的失真水平。此外,它还具备良好的散热性能和鲁棒性,适合在恶劣环境下工作。

参数

最大功率:260W
  频率范围:1.8GHz 至 2.7GHz
  漏极效率:≥55%
  增益:15dB
  电源电压:50V
  封装形式:FLD6

特性

MRF8S18260HSR6 的主要特性包括:
  1. 高输出功率能力,适用于高要求的射频应用场景。
  2. 在整个工作频率范围内保持优异的线性度和效率,从而降低系统的总拥有成本。
  3. 内置匹配网络以简化外部电路设计并减少整体尺寸。
  4. 使用FLD6封装形式,这种封装提供了卓越的热管理和电气连接性能。
  5. 具备出色的抗静电能力(ESD),确保产品在生产过程中的可靠性。
  6. 工作温度范围宽广,支持从-40°C到+105°C的环境条件。

应用

这款射频功率晶体管主要用于以下领域:
  1. 无线通信基础设施,如蜂窝基站、WiMAX 和其他宽带无线接入系统。
  2. 测试与测量设备,用于评估和验证射频组件及系统的性能。
  3. 点对点无线电链路,提供长距离的数据传输解决方案。
  4. 工业、科学和医疗(ISM)频段内的各种射频能量应用。
  5. 军事和航空航天领域的高性能射频功率放大器设计。

替代型号

MRF8S18260HSR5

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MRF8S18260HSR6产品

MRF8S18260HSR6参数

  • 标准包装150
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶体管类型LDMOS(双)
  • 频率1.81GHz
  • 增益17.9dB
  • 电压 - 测试30V
  • 额定电流-
  • 噪音数据-
  • 电流 - 测试1.6A
  • 功率 - 输出74W
  • 电压 - 额定65V
  • 封装/外壳SOT-1110B
  • 供应商设备封装NI1230S-8
  • 包装带卷 (TR)