20SVP56M是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅PIN功率整流二极管,专为高电压、高电流应用设计。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具有紧凑的尺寸和优异的热性能,适用于空间受限但需要高效能整流功能的电路中。20SVP56M的命名规则中,“20”代表其最大反向重复电压(VRRM)为200V,“S”表示为硅PIN结构,“V”代表其为高压整流用途,“P”表示为表面贴装功率器件,“56M”则进一步标识其特定系列与电流处理能力。该二极管具备快速恢复特性,能够在高频开关电源中有效工作,减少开关损耗并提高系统效率。由于其高浪涌电流承受能力,20SVP56M在面对瞬态过载或启动冲击时表现出良好的可靠性,广泛应用于AC-DC转换器、电源适配器、LED照明电源、消费类电子设备以及工业控制电源等场合。
类型:硅PIN功率整流二极管
封装/包装:SMA(DO-214AC)
最大反向重复电压 VRRM:200V
最大直流阻断电压 VR:200V
平均整流电流 IO:5.6A
峰值正向浪涌电流 IFSM:80A(单个半正弦波,8.3ms)
最大正向压降 VF:1.45V(在5.6A时)
最大反向漏电流 IR:5μA(典型值,25°C)
最大反向恢复时间 trr:75ns
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +150°C
热阻 RθJA:35°C/W
安装类型:表面贴装
20SVP56M的核心特性之一是其采用的硅PIN结构,这种结构在P型和N型半导体之间插入一层本征(Intrinsic)区域,显著提升了器件的耐压能力和载流子存储效应,使其在高电压阻断状态下仍能维持较低的漏电流,同时在导通时提供较高的电流传导能力。该本征层的存在延长了少数载流子的寿命,有助于在大电流下实现更平滑的电流过渡,从而优化了整流效率。此外,PIN结构还赋予器件一定的软恢复特性,减少了在关断过程中因电流突变引起的电磁干扰(EMI),有利于提升系统EMC性能。
另一个关键特性是其快速恢复能力,反向恢复时间trr典型值为75ns,这使得20SVP56M适用于工作频率高达数十kHz甚至更高的开关电源拓扑中,如反激式(Flyback)、正激式(Forward)和LLC谐振变换器等。相较于传统整流二极管,其快速恢复特性可显著降低开关过程中的能量损耗,提高整体电源效率。同时,该器件具备高达80A的峰值正向浪涌电流承受能力,能够应对电源启动或电网波动时出现的瞬时大电流冲击,增强了系统的鲁棒性和长期运行的可靠性。
20SVP56M采用SMA封装,具有较小的占位面积和良好的散热性能。该封装符合RoHS标准,支持自动化贴片生产,适合现代高密度PCB布局需求。其低热阻RθJA(35°C/W)确保在5.6A连续工作电流下结温保持在安全范围内,即使在环境温度较高的工业应用中也能稳定运行。此外,器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适应严苛的温度环境,适用于汽车电子、工业电源等多种应用场景。
20SVP56M广泛应用于各类中高功率开关模式电源(SMPS)中,作为输出整流二极管使用,尤其适用于50W至300W范围内的AC-DC电源适配器、充电器和LED驱动电源。在反激式转换器中,它常被用作次级侧同步整流的替代方案或与MOSFET配合使用,以提高效率并降低成本。此外,该器件也适用于不间断电源(UPS)、逆变器、电机驱动电源模块以及家用电器中的电源单元。其高浪涌电流能力和快速恢复特性使其在电网电压不稳或频繁启停的环境中表现出色。在LED照明系统中,20SVP56M可用于恒流电源的整流环节,确保长时间稳定工作。工业控制系统、测量仪器和通信设备的辅助电源部分也常采用此类高性能整流二极管以提升系统可靠性。由于其表面贴装特性,特别适合自动化生产和小型化设计需求,广泛用于现代消费类电子产品和便携式设备的电源管理模块中。
VS-20SVP56M-E3/52
STTH5R06D
ES5J-B