制造商：Intel
　　类型：NOR Flash
　　容量：256 Mbit (32 MB)
　　组织结构：16位宽（x16）
　　工艺技术：浮栅EEPROM技术
　　工作电压：3.0V 至 3.6V
　　读取访问时间：120ns
　　封装形式：56-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　写入/擦除耐久性：典型值为10万次
　　数据保持时间：典型值为10年
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　待机电流：典型值小于20μA
　　读取电流：典型值约20mA
　　编程模式：支持命令寄存器接口（CUI）
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　安全性功能：硬件写保护、软件写保护、锁定功能

PA28F200BVT120具备出色的性能和稳定性，专为高可靠性嵌入式应用而设计。其核心特性之一是采用了高性能的NOR架构，使得该器件能够实现真正的随机访问能力，每个存储单元都可以独立寻址和读取，非常适合执行就地执行（XIP, eXecute In Place）的应用场景，如启动代码、操作系统映像或实时固件的直接运行。这种架构避免了将程序加载到RAM中再执行的传统流程，从而节省了内存资源并提高了系统响应速度。此外，该芯片的120ns读取访问时间在同类产品中表现出色，能够在不牺牲速度的前提下满足大多数嵌入式系统的时序要求。
　　该器件内置先进的命令用户接口（Command User Interface, CUI），通过一组标准化的指令集来控制编程、擦除和查询操作。这些命令包括解锁序列、自动选择、芯片识别、扇区擦除、字编程等，均通过向特定地址写入特定数据来触发。这一机制不仅增强了使用的灵活性，也提升了操作的安全性——例如，必须先执行正确的解锁序列才能进行写入或擦除，有效防止了因误操作导致的数据丢失。同时，芯片内部集成了状态轮询机制，允许主机通过读取状态寄存器判断当前操作是否完成，从而实现高效的流程控制。
　　PA28F200BVT120还提供了多层次的数据保护功能。除了支持硬件写保护引脚（WP#）外，还可通过软件命令对部分或全部存储区域进行锁定，防止未经授权的修改。这对于存储关键配置参数或安全认证信息尤为重要。此外，器件支持按扇区或按块进行擦除操作，最小擦除单位通常为64KB或更小，这使得固件更新更加精细和高效。所有写入和擦除操作均由内部电荷泵提供所需的高压，无需外部高压电源，简化了系统设计并降低了成本。
　　该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），使其能够在极端环境下可靠运行，广泛应用于工业自动化、网络路由器、电信基站、医疗设备和军事电子系统中。其低功耗特性也适合便携式或电池供电设备使用。尽管随着SPI NOR Flash和串行接口技术的发展，此类并行接口Flash逐渐退出主流市场，但PA28F200BVT120凭借其成熟的设计、稳定的供货历史和广泛的兼容性，在许多遗留系统维护和备件替换中依然具有重要价值。

PA28F200BVT120主要应用于需要大容量非易失性存储且对数据可靠性要求较高的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）固件存储，用于保存启动引导程序、操作系统镜像和用户配置参数；在网络通信设备如路由器、交换机和DSL调制解调器中作为主程序存储介质，支持快速启动和稳定运行；在车载电子系统中用于存储车载导航、仪表盘控制模块或远程信息处理单元的固件；在医疗设备中用于保存校准数据、诊断程序和操作日志，确保断电后信息不丢失。
　　此外，该芯片也常见于军工和航空航天领域，因其具备宽温工作能力和抗干扰特性，适用于雷达系统、飞行控制系统、卫星通信终端等高可靠性要求的环境。由于支持XIP（就地执行）功能，PA28F200BVT120特别适合那些无法配备大容量RAM但仍需直接从Flash运行代码的嵌入式处理器架构，例如某些ARM7、ColdFire或PowerPC平台。在测试测量仪器中，该器件可用于存储自检程序、波形模板和用户界面资源。即使在现代系统中，虽然新型串行NOR Flash更为流行，但在一些需要高吞吐率并行接口的老式主板或专用工控板卡上，PA28F200BVT120仍是不可或缺的关键元器件。因此，其应用不仅限于新产品设计，更多体现在现有设备的维护、升级和备件替换中。

S29GL256P_120
　　MT28GU512ABB_120
　　IS26GV256S_120