MRF136 时间：2025/7/18 17:25:06 阅读：3

MRF136是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET），专为高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力以及卓越的热稳定性。MRF136常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及工业控制设备等应用中，能够有效提高系统效率并降低能耗。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：12A
　　最大漏-源电压：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（典型值）
　　栅极阈值电压：2~4V
　　最大功耗：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

MRF136具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该MOSFET具备高达600V的漏-源击穿电压，能够在高压环境下稳定工作，适用于多种电源转换场景。此外，MRF136采用了高效的TO-220封装，散热性能良好，有助于在高负载条件下维持较低的结温，延长器件寿命。其栅极阈值电压在2~4V之间，兼容多种驱动电路，便于集成到各种电子系统中。MRF136还具有良好的短路耐受能力和抗过载能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，确保系统的可靠性。最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环境友好型电子组件有需求的设计项目。

应用

MRF136广泛应用于各类功率电子设备中。在开关电源（SMPS）领域，MRF136可用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和隔离式电源模块，提供高效的能量转换能力。在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可用于H桥结构，实现直流电机的正反转控制。此外，MRF136也适用于LED驱动器、UPS（不间断电源）、电池充电器以及工业自动化设备中的高功率开关控制。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，MRF136同样表现出良好的适用性。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能，MRF136还可用于高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中，提升系统的整体能效和稳定性。