BTMZ5012CO 时间：2025/11/13 16:36:19 阅读：5

BTMZ5012CO是一款由Bourns公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Diode Array），专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件属于Bourns TVS Bidi?系列，采用先进的半导体工艺制造，具有低电容、快速响应时间和高可靠性等优点，广泛应用于高速数据线路和接口保护中。BTMZ5012CO采用紧凑型SOD-523封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其双通道结构可同时保护两条信号线，适合用于USB、HDMI、以太网、音频/视频接口等需要高精度信号完整性的场合。
　　该器件的工作原理基于雪崩击穿效应，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，几乎不影响原电路运行；当出现超过额定阈值的瞬态过电压时，器件迅速进入低阻抗导通状态，将浪涌电流旁路到地，从而钳制电压在安全范围内，保护后端IC不受损坏。此外，BTMZ5012CO具备双向极性保护能力，能够应对正负方向的瞬态干扰，特别适用于交流或双极性信号线路的防护。

参数

型号：BTMZ5012CO
　　制造商：Bourns
　　封装类型：SOD-523
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：最大6.4V
　　钳位电压（VC）：最大12V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（单次8/20μs浪涌）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM=5V
　　电容值（Ct）：典型值30pF @ 0V, 1MHz
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：±30kV（IEC 61000-4-2, 接触放电）
　　响应时间：小于1ns

特性

BTMZ5012CO具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在纳秒级时间内响应ESD和EFT等突发性电压冲击，有效防止敏感集成电路因瞬态过压而导致的功能异常或永久性损坏。其低动态电阻设计确保了在大电流瞬变过程中仍能维持较低的钳位电压，显著提升系统级电磁兼容性（EMC）表现。该器件采用双向对称结构，支持正负极性瞬态事件的均衡保护，适用于各类模拟与数字信号传输路径。得益于先进的芯片工艺，BTMZ5012CO拥有极低的结电容（典型值30pF），不会对高频信号造成明显衰减或失真，因此非常适合用于高速通信接口如USB 2.0、HDMI、SD卡槽、触摸屏控制器等场景。
　　此外，该TVS阵列具有极高的可靠性与稳定性，经过严格的AEC-Q101认证，适用于汽车电子环境下的严苛条件。其小型化SOD-523封装不仅节省PCB布局空间，还便于自动化贴片生产，提高制造效率。器件本身无铅且符合RoHS环保标准，支持绿色环保设计理念。在长期运行中，BTMZ5012CO表现出极低的漏电流（最大1μA），有助于降低待机功耗，延长电池供电设备的续航时间。综合来看，这款TVS二极管阵列为现代电子产品提供了高效、紧凑且可靠的前端电路保护解决方案。

应用

主要用于便携式消费类电子产品中的高速数据接口保护，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等设备的USB端口、音频插孔、microSD卡槽、HDMI输出接口等。也广泛应用于工业控制系统的通信模块、传感器接口以及人机交互面板中，抵御工厂环境中常见的电气噪声与瞬态干扰。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统（IVI）、导航设备、倒车影像输入端口等需要抗ESD和电源波动的场合。此外，还可用于医疗仪器、测试测量设备及物联网终端节点，保障信号完整性与系统稳定性。