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FDS9933A 发布时间 时间:2024/8/22 14:43:25 查看 阅读:163

针脚数:8
  漏源极电压(Vds):20 V
  上升时间:9 ns
  输入电容(Ciss):600pF 10V(Vds)
  额定功率(Max):900 mW
  下降时间:28 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):2000 mW

封装参数

引脚数:8
  封装:SOIC-8

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)

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FDS9933A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 3.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds600pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS9933A-ND