类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：17A
　　导通电阻(RDS(on))：10mΩ（典型值）
　　最大工作温度：150℃
　　封装形式：PowerPAK 8x8

MPC17A10SVMEL具有多项优异的电气和热性能，适合高功率应用需求。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的100V漏源击穿电压使其适用于多种中高功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关。
　　其次，MPC17A10SVMEL采用了先进的Trench沟槽工艺技术，确保在高电流条件下仍能保持稳定的导通性能，并具备良好的抗雪崩能力。此外，其±20V的栅极耐压能力使其在高噪声环境中具备更强的可靠性，避免栅极氧化层被击穿的风险。
　　在封装方面，MPC17A10SVMEL采用PowerPAK 8x8封装，具有优异的散热性能和较小的封装体积，适合在空间受限的应用中使用。该封装还支持高功率密度设计，有助于提升系统的整体热管理效率。
　　该器件的工作温度范围宽广，最高可达150℃，适用于工业级和汽车电子等高温环境下的应用。同时，其高可靠性设计符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）和电动工具等对可靠性要求较高的场景。

MPC17A10SVMEL广泛应用于各种高效率电源管理系统和功率电子设备中。其主要应用包括但不限于：DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备以及电动汽车和电动工具中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的导通性能，该MOSFET也适用于对能效和散热要求较高的绿色能源系统，如太阳能逆变器和储能系统。

SiS434DK, FDS4410AS, IPW90R120C3, NVTFS5C471NL