时间：2025/9/3 10:22:49
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MPC17A10SVMEL是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于各种高功率密度设计场景。MPC17A10SVMEL采用小型化的PowerPAK 8x8封装，有助于减少PCB空间占用并提高系统集成度。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：17A
导通电阻(RDS(on))：10mΩ（典型值）
最大工作温度：150℃
封装形式：PowerPAK 8x8
MPC17A10SVMEL具有多项优异的电气和热性能，适合高功率应用需求。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的100V漏源击穿电压使其适用于多种中高功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关。
其次，MPC17A10SVMEL采用了先进的Trench沟槽工艺技术，确保在高电流条件下仍能保持稳定的导通性能，并具备良好的抗雪崩能力。此外，其±20V的栅极耐压能力使其在高噪声环境中具备更强的可靠性，避免栅极氧化层被击穿的风险。
在封装方面，MPC17A10SVMEL采用PowerPAK 8x8封装，具有优异的散热性能和较小的封装体积，适合在空间受限的应用中使用。该封装还支持高功率密度设计，有助于提升系统的整体热管理效率。
该器件的工作温度范围宽广，最高可达150℃，适用于工业级和汽车电子等高温环境下的应用。同时，其高可靠性设计符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）和电动工具等对可靠性要求较高的场景。
MPC17A10SVMEL广泛应用于各种高效率电源管理系统和功率电子设备中。其主要应用包括但不限于：DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备以及电动汽车和电动工具中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的导通性能，该MOSFET也适用于对能效和散热要求较高的绿色能源系统，如太阳能逆变器和储能系统。
SiS434DK, FDS4410AS, IPW90R120C3, NVTFS5C471NL
