RF1621TR13 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)制造的射频(RF)功率晶体管,专为高性能射频放大应用而设计。该器件采用先进的 GaAs(砷化镓)技术,适用于无线基础设施、基站、工业和通信设备等高要求的射频系统。RF1621TR13 以其高增益、高效率和良好的热稳定性著称,能够在高频率范围内提供稳定的功率输出。它通常用于 W-CDMA、WiMAX、LTE 等现代通信标准中,支持多种调制方案,确保信号的高质量传输。
制造商: Qorvo (RF Micro Devices)
类型: RF 功率晶体管
技术: GaAs HBT
频率范围: 1800 MHz - 2000 MHz
输出功率: 27 dBm(典型值)
增益: 14 dB(典型值)
电源电压: 5 V
电流消耗: 120 mA(典型值)
封装类型: TQFN
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
阻抗: 50 Ω
RF1621TR13 采用先进的 GaAs HBT(异质结双极晶体管)工艺制造,具有优异的射频性能和高可靠性。其高增益特性确保了信号在经过放大后仍保持良好的线性度,从而减少了信号失真。此外,该器件具有低噪声系数,使得它在接收路径和发射路径中都能有效工作,提高了整体系统的信号质量。
在热管理方面,RF1621TR13 设计了良好的热沉结构,能够在高功率运行时保持较低的结温,延长了器件的使用寿命并提高了稳定性。它还具备较高的输入和输出回波损耗(VSWR),使其在不同负载条件下都能保持稳定的性能。
该功率晶体管支持宽频率范围操作,适用于多频段或多标准无线通信系统。其封装形式为 TQFN,体积小巧,便于集成到紧凑的 PCB 设计中,并支持表面贴装工艺,提高了制造效率和可靠性。此外,该器件的功耗较低,符合现代通信设备对能效和环保的要求。
RF1621TR13 主要用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、Wi-Fi 接入点、WiMAX 系统和 LTE 网络设备。它适用于中功率射频放大器模块,能够增强信号发射强度,提高通信距离和信号质量。此外,该器件也广泛应用于工业通信设备、远程无线传感器、测试测量仪器和射频收发系统中。由于其良好的线性度和低噪声性能,RF1621TR13 也适合用于接收链路中的前置放大器或发射链路中的驱动放大器,确保信号在传输过程中保持高保真度。
RF1620TR13, HMC414, AFT05MS004