时间：2025/7/16 13:45:58
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LN21WPH是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于多种电力电子应用。其设计旨在提高效率并减少功率损耗。
LN21WPH通常用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：68nC
总电容：1300pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 增强的热稳定性，能够承受极端温度环境。
4. 小型封装设计，节省PCB空间。
5. 提供出色的可靠性和耐用性，适用于工业和汽车领域。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC/DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 负载切换
5. 电池保护电路
6. 汽车电子系统中的功率管理
7. 工业自动化设备中的功率级控制
LN21WP, IRFZ44N, FDP55N06L
