时间：2025/12/3 16:59:24
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MMZ2012Y202BT是一款由TDK公司生产的多层片式铁氧体磁珠，属于MMZ系列，专为高速数字信号线路和电源线路的噪声抑制而设计。该器件采用表面贴装技术（SMT），尺寸为2012（公制代码，即2.0mm x 1.25mm），适用于高密度印刷电路板布局。MMZ2012Y202BT主要用于抑制高频电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI），在便携式电子设备、通信设备和消费类电子产品中广泛应用。其核心功能是通过在特定频率范围内呈现高阻抗特性，将不需要的高频噪声转化为热能，从而净化信号和电源质量。该磁珠在直流电阻（DCR）方面保持较低水平，确保对正常信号传输的影响最小化，同时在数百MHz至GHz频段内提供优异的噪声衰减能力。MMZ2012Y202BT具有良好的温度稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代自动化生产流程。
产品类型：铁氧体磁珠
电路类型：单路
尺寸代码：2012（2.0mm x 1.25mm）
最大直流电阻（DCR）：0.35Ω
额定电流：500mA
阻抗频率：100MHz
标称阻抗值：2000Ω ±25%
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
耐压：50V
电容值：典型值小于0.5pF
MMZ2012Y202BT磁珠的核心特性在于其卓越的高频噪声抑制能力和低直流电阻的平衡设计。该器件在100MHz频率下提供2000Ω的高阻抗，能够在诸如USB、HDMI、MIPI、PCIe等高速数据线路上有效滤除共模噪声，防止其耦合到敏感电路中造成信号失真或系统误操作。其低至0.35Ω的直流电阻确保了在通过500mA额定电流时仅产生极小的电压降和功率损耗，非常适合用于移动设备中的电源轨滤波，如为处理器核心供电的LDO输出端或射频模块的偏置电源。该磁珠采用多层陶瓷与铁氧体材料共烧结工艺，实现了小型化与高性能的结合，在有限的PCB空间内提供了高效的EMI解决方案。
此外，MMZ2012Y202BT具备出色的频率响应特性，其阻抗曲线在100MHz附近达到峰值，并在更宽的高频范围内维持较高阻抗水平，能够应对多种噪声源的挑战。其寄生电容极低（典型值小于0.5pF），避免了对高速信号边沿造成过度衰减或引起反射，保证了信号完整性。该器件还具有良好的温度稳定性，在-55℃至+125℃的工作温度范围内，电气性能变化极小，适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。其结构坚固，机械强度高，能承受回流焊等高温工艺，且具备防潮、抗振动等特性，确保长期使用的可靠性。作为TDK成熟的MMZ系列产品之一，MMZ2012Y202BT经过严格的质量控制和环境测试，符合AEC-Q200等可靠性标准（视具体型号而定），广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块、可穿戴设备和物联网终端中，是实现电磁兼容（EMC）设计的关键元件之一。
广泛应用于便携式电子设备中的高速信号线路噪声滤波，如智能手机和平板电脑的摄像头接口（MIPI）、显示屏接口、USB数据线保护；用于无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、5G）的射频前端电源去耦和信号隔离；适用于数字音频和视频设备中消除高频干扰，提升音视频信号质量；可用于微处理器、FPGA和ASIC的I/O端口EMI抑制；也常用于电源管理单元（PMU）的次级滤波，配合去耦电容构成π型或L型滤波网络，提高电源纯净度；适用于工业控制设备、医疗电子设备和汽车信息娱乐系统中的电磁兼容设计，满足严格的EMI法规要求。
BLM21PG202SN1
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"MMZ2012Y202BT datasheet",
"MMZ2012Y202BT TDK specification",
"MMZ2012Y202BT equivalent"
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