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AOD2916 发布时间 时间:2025/4/29 13:27:56 查看 阅读:1

AOD2916是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用小型化的SOT23封装形式。该器件适用于低电压应用场合,具有较低的导通电阻和快速开关特性。AOD2916通常用于便携式设备、电池供电系统、负载开关、DC-DC转换器以及电源管理电路等场景。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.7A
  导通电阻(Rds(on)):0.12Ω(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:6nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AOD2916具备非常低的导通电阻,在特定条件下可以显著降低功率损耗,提升效率。其快速的开关性能使得它非常适合高频开关应用。此外,该器件的紧凑SOT23封装形式使其能够节省PCB空间,非常适合对尺寸敏感的设计。
  这款MOSFET还拥有良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。同时,其低栅极电荷设计进一步优化了动态功耗表现。

应用

AOD2916广泛应用于各种低功率电子设备中,包括但不限于:
  - 手机和平板电脑中的负载开关
  - USB充电端口保护
  - 小型DC-DC转换器
  - 电池管理系统(BMS)
  - 电机驱动控制
  - 信号电平转换电路
  由于其高效性和小尺寸特点,AOD2916特别适合需要高集成度和节能特性的现代电子产品。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDMT6833
  SI2302DS

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AOD2916参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A(Ta),25A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)34 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)870 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63