时间：2025/8/14 7:50:26
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PJC7472B_R1_00001 是一款由 Panasonic（松下）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率应用而设计，适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动电路。其高电流容量和低导通电阻使其在高功率密度设计中具有显著优势。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.7A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
PJC7472B_R1_00001 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗，提高整体系统效率。此外，其栅极阈值电压较低，通常在 1.0V 到 2.5V 之间，使得该器件可以与多种控制电路（如微控制器或 PWM 控制器）兼容，从而简化驱动电路的设计。
这款 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。它采用 SOP 封装形式，适用于自动化贴片生产，提高了 PCB 布局的灵活性和空间利用率。SOP 封装还具备良好的散热性能，能够有效散发高功率操作时产生的热量，延长器件的使用寿命。
另外，PJC7472B_R1_00001 的最大漏极电流为 4.7A，最大漏源电压为 30V，适用于中高功率应用。其最大功耗为 2.5W，在适当的散热条件下可以满足大多数电源转换和功率控制需求。
PJC7472B_R1_00001 广泛应用于各类电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。在这些应用中，MOSFET 作为关键的功率开关元件，负责控制电流的通断，确保电源系统的高效运行。
此外，该器件也适用于电机驱动器、LED 照明驱动器和电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流容量，特别适合需要高效率和低热量损耗的便携式设备和嵌入式系统。
在工业自动化和控制系统中，PJC7472B_R1_00001 可作为功率开关用于控制继电器、执行器和其他高功率负载的运行。其稳定的性能和良好的热管理能力使其在工业环境中表现出色。
Si2302DS, IRF7404, AO4406A
